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STGD3NB60S數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
STGD3NB60S |
| 參數(shù)屬性 | STGD3NB60S 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 20:36:00 |
| 人工找貨 | STGD3NB60S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGD3NB60S規(guī)格書詳情
簡(jiǎn)介
STGD3NB60S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD3NB60S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
STGD3NB60SDT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，3A
- 開關(guān)能量：
1.15mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
125μs/-
- 測(cè)試條件：
480V，3A，1 千歐，15V
- 工作溫度：
175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 6A 48W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
stm |
23+ |
NA |
6486 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3375 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST |
15+ |
TO252 |
20 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO- |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | ||
ST |
25+23+ |
TO252 |
26678 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
DPak |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252 |
28235 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
19200 |
詢價(jià) |
