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STGD3NB60F數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
STGD3NB60F |
| 參數(shù)屬性 | STGD3NB60F 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 6A 60W DPAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK PowerMESH? IGBT |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-7 11:20:00 |
| 人工找貨 | STGD3NB60F價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGD3NB60F規(guī)格書詳情
簡介
STGD3NB60F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD3NB60F晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
STGD3NB60FT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，3A
- 開關(guān)能量：
125μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
12.5ns/105ns
- 測試條件：
480V，3A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 6A 60W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
TO-252 |
16900 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
16900 |
原裝，請咨詢 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
46000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
DPak |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
7500 |
詢價 | |||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！ |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
2500 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價 |
