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SCTWA50N120數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

SCTWA50N120

功能描述

碳化硅功率MOSFET,1200 V、65 A、59 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247長(zhǎng)引線封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-16 13:20:00

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SCTWA50N120規(guī)格書詳情

描述 Description

該碳化硅功率MOSFET晶體管是利用寬禁帶半導(dǎo)體材料的先進(jìn)和創(chuàng)新特性生產(chǎn)出來的。因此,器件具有每區(qū)域無可比擬的導(dǎo)通狀態(tài)電阻,以及卓越的開關(guān)性能,隨溫度變化極小。碳化硅(SiC)材料具有出色的熱性能,使設(shè)計(jì)人員能夠采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì),顯著提高器件的散熱能力。這些特性使器件非常適用于高效率和高功率密度應(yīng)用。

特性 Features

? 導(dǎo)通電阻隨溫度變化敏感溫度
? 非常高的額定工作結(jié)溫 (TJ = 200 °C)
? 穩(wěn)定的超快速本體二極管
? 低電容

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :SCTWA50N120

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS_nom(V)

    :1200

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :65

  • RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)

    :0.069

  • PTOT_max(W)

    :318

  • Qg_typ(nC)

    :122

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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HiP-247-3
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