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SCTWA35N65G2VAG數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書

廠商型號(hào) |
SCTWA35N65G2VAG |
功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-22 18:10:00 |
人工找貨 | SCTWA35N65G2VAG價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SCTWA35N65G2VAG規(guī)格書詳情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
主要特性
AEC-Q101 qualifiedVery fast and robust intrinsic body diodeLow capacitance
特性 Features
? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitance
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
:SCTWA35N65G2VAG
- 生產(chǎn)廠家
:ST
- Package
:HIP247 long leads
- Grade
:Automotive
- VDSS_nom(V)
:650
- RDS(on)_max(mΩ)
:67
- Drain Current (Dc)_max(A)
:45
- PTOT_max(W)
:240
- Qg_typ(nC)
:73
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
HiP-247-3 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
20+ |
TO-247-LongLeads |
600 |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源! |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO-247 |
8216 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
N/A |
20000 |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2021+ |
HiP-247-3 |
7600 |
原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) |