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SCTW60N120G2數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
| 廠商型號 |
SCTW60N120G2 |
| 功能描述 | Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 23:01:00 |
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SCTW60N120G2規(guī)格書詳情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Extremely low gate charge and input capacitance
? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：SCTW60N120G2
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：1200
- RDS(on)_max(mΩ)
：52
- Drain Current (Dc)_max(A)
：60
- PTOT_max(W)
：388
- Qg_typ(nC)
：94
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
20+ |
HiP-247 |
3000 |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
HiP-247 |
7814 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
HiP247 |
340 |
市場最低 原裝現(xiàn)貨 假一罰百 可開原型號 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
HIP247-3 |
16900 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
HIP-247-3 |
18000 |
只做原裝現(xiàn)貨可開票 |
詢價(jià) |
