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SCTWA35N65G2V數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書(shū)

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廠商型號(hào)

SCTWA35N65G2V

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 long leads package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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SCTWA35N65G2V規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

特性 Features

? Very fast and robust intrinsic body diode
? Extremely low gate charge and input capacitance
? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :SCTWA35N65G2V

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS_nom(V)

    :650

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :45

  • RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)

    :0.072

  • PTOT_max(W)

    :208

  • Qg_typ(nC)

    :73

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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