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SCTW100N120G2AG數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SCTW100N120G2AG |
| 功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 21:16:00 |
| 人工找貨 | SCTW100N120G2AG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SCTW100N120G2AG規(guī)格書詳情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
? AEC-Q101 qualified
? High speed switching performance
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitances
? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：SCTW100N120G2AG
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：1200
- RDS(on)_max(mΩ)
：39
- Drain Current (Dc)_max(A)
：75
- PTOT_max(W)
：565
- Qg_typ(nC)
：163
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
HIP247 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
HIP247 |
10000 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
原廠封裝 |
306097 |
有掛就有貨只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
ST |
2447 |
HiP247 |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
HIP247 |
12000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
HiP247 |
7000 |
詢價(jià) |
