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SCTW35N65G2VAG數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SCTW35N65G2VAG |
| 功能描述 | Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-22 10:10:00 |
| 人工找貨 | SCTW35N65G2VAG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SCTW35N65G2VAG規(guī)格書詳情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
特性 Features
? AEC-Q101 qualified
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Low capacitance
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：SCTW35N65G2VAG
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Automotive
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：45
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.067
- PTOT_max(W)
：240
- Qg_typ(nC)
：73
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
893 |
只做正品 |
詢價(jià) | ||||
ST |
2511 |
HIP-247 |
16900 |
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
詢價(jià) | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
2223+ |
HIP247 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn) |
詢價(jià) | ||
ST |
2021+ |
HIP247 |
1500 |
只做原裝，可提供樣品 |
詢價(jià) | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
20+ |
TO-247-3 |
30 |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | |||
STMicroelectronics |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) |
