首頁>SCTW90N65G2V>規(guī)格書詳情
SCTW90N65G2V數(shù)據手冊ST中文資料規(guī)格書
SCTW90N65G2V規(guī)格書詳情
描述 Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
特性 Features
? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Extremely low gate charge and input capacitances
技術參數(shù)
- 制造商編號
：SCTW90N65G2V
- 生產廠家
：ST
- Package
：HIP247
- Grade
：Industrial
- VDSS_nom(V)
：650
- Drain Current (Dc)_max(A)
：119
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
：0.024
- PTOT_max(W)
：565
- Qg_typ(nC)
：157
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導體 |
23+ |
N/A |
20000 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
HiP247 |
340 |
市場最低 原裝現(xiàn)貨 假一罰百 可開原型號 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應SIC全系列 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
HIP247-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST |
2511 |
HIP247 |
16900 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
7093 |
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道。可簽保供合同 |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
HiP247 |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實單 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
HIP-247-3 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
HIP247-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 |
