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PTVA120251EA-V2-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA120251EA-V2-R0
廠商型號

PTVA120251EA-V2-R0

參數(shù)屬性

PTVA120251EA-V2-R0 封裝/外殼為H-36265-2;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-36265-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 – 1400 MHz
IC AMP RF LDMOS H-36265-2

封裝外殼

H-36265-2

文件大小

787.93 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 15:01:00

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PTVA120251EA-V2-R0規(guī)格書詳情

PTVA120251EA-V2-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA120251EA-V2-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PTVA120251EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency band. Features include

high gain and a thermally-enhanced package with bolt-down flange.

Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device

provides excellent thermal performance and superior reliability.

特性 Features

? Unmatched input and output

? High gain and efficiency

? Integrated ESD protection

? ESD HBM Class 2, per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001

? Low thermal resistance

? Excellent ruggedness

? Pb-free and RoHS-compliant

? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch

(all phase angles) at POUT = 25 W, under CW conditions

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTVA120251EA-V2-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    50W

  • 封裝/外殼:

    H-36265-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-36265-2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-36265-2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Cree/Wolfspeed
2022+
H-36265-2
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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