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PTVA104501EH-V1-R250分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PTVA104501EH-V1-R250 |
參數(shù)屬性 | PTVA104501EH-V1-R250 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 450 W, 50 V, 960 – 1215 MHz |
文件大小 |
540.34 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-10 15:01:00 |
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更多PTVA104501EH-V1-R250規(guī)格書詳情
PTVA104501EH-V1-R250屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA104501EH-V1-R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PTVA104501EH LDMOS FET is designed for use in power amplifier
applications in the 960 to 1215 MHz frequency band. Features include
high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability
特性 Features
? Broadband internal input and output matching
? High gain and efficiency
? Integrated ESD protection
? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
? Low thermal resistance
? Excellent ruggedness
? Pb-free and RoHS compliant
? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch
(all phase angles) at 450 W peak under RF pulse,
128 μS, 10 duty cycle.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTVA104501EH-V1-R250
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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