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PTVA104501EH-V1-R250分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA104501EH-V1-R250
廠商型號

PTVA104501EH-V1-R250

參數(shù)屬性

PTVA104501EH-V1-R250 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 450 W, 50 V, 960 – 1215 MHz
IC AMP RF LDMOS

文件大小

540.34 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 15:01:00

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PTVA104501EH-V1-R250規(guī)格書詳情

PTVA104501EH-V1-R250屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA104501EH-V1-R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PTVA104501EH LDMOS FET is designed for use in power amplifier

applications in the 960 to 1215 MHz frequency band. Features include

high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange.

Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device

provides excellent thermal performance and superior reliability

特性 Features

? Broadband internal input and output matching

? High gain and efficiency

? Integrated ESD protection

? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC

JS-001)

? Low thermal resistance

? Excellent ruggedness

? Pb-free and RoHS compliant

? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch

(all phase angles) at 450 W peak under RF pulse,

128 μS, 10 duty cycle.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTVA104501EH-V1-R250

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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