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PTVA104501EH-V1-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PTVA104501EH-V1-R0 |
參數(shù)屬性 | PTVA104501EH-V1-R0 封裝/外殼為H-33288-2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS H-33288-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 450 W, 50 V, 960 – 1215 MHz |
封裝外殼 | H-33288-2 |
文件大小 |
540.34 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-12 13:02:00 |
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更多PTVA104501EH-V1-R0規(guī)格書(shū)詳情
PTVA104501EH-V1-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA104501EH-V1-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PTVA104501EH LDMOS FET is designed for use in power amplifier
applications in the 960 to 1215 MHz frequency band. Features include
high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability
特性 Features
? Broadband internal input and output matching
? High gain and efficiency
? Integrated ESD protection
? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
? Low thermal resistance
? Excellent ruggedness
? Pb-free and RoHS compliant
? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch
(all phase angles) at 450 W peak under RF pulse,
128 μS, 10 duty cycle.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
PTVA104501EH-V1-R0
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類(lèi)型:
LDMOS
- 頻率:
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益:
17.5dB
- 功率 - 輸出:
450W
- 封裝/外殼:
H-33288-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-33288-2
- 描述:
IC AMP RF LDMOS H-33288-2
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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