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PTVA102001EA-V1-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA102001EA-V1-R0
廠商型號

PTVA102001EA-V1-R0

參數(shù)屬性

PTVA102001EA-V1-R0 封裝/外殼為H-36265-2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET TRANSISTORS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 50 V, 960 – 1600 MHz
RF MOSFET TRANSISTORS

封裝外殼

H-36265-2

文件大小

540.59 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-12 16:23:00

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PTVA102001EA-V1-R0規(guī)格書詳情

PTVA102001EA-V1-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA102001EA-V1-R0晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PTVA102001EA is a 200-watt LDMOS FET intended for use in power

amplifier applications in the 960 to 1600 MHz frequency band. Features

include high gain and thermally-enhanced package with bolt-down

flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced

LDMOS process, this device provides excellent thermal performance

and superior reliability

特性 Features

? Input matched

? Capable of handling 10:1 VSWR @50 V, 200 W (CW)

output power

? Integrated ESD protection

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTVA102001EA-V1-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.6GHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    200W

  • 封裝/外殼:

    H-36265-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-36265-2

  • 描述:

    RF MOSFET TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INVENTRONICS/英飛特
1634+
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1000
原裝現(xiàn)貨
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鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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H-33288-2
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56000
全新原裝進(jìn)口,假一罰十
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INVENTRONICS/英飛特
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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8000
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