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PTVA104501EH分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA104501EH
廠商型號

PTVA104501EH

參數(shù)屬性

PTVA104501EH 封裝/外殼為H-33288-2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
IC AMP RF LDMOS

封裝外殼

H-33288-2

文件大小

189.46 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-12 17:03:00

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PTVA104501EH規(guī)格書詳情

PTVA104501EH屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTVA104501EH晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    PTVA104501EHV1XWSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 封裝/外殼:

    H-33288-2

  • 供應商器件封裝:

    H-33288-2

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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INFINEON/英飛凌
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