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PTVA120251EA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PTVA120251EA |
參數(shù)屬性 | PTVA120251EA 封裝/外殼為H-36265-2;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz |
封裝外殼 | H-36265-2 |
文件大小 |
1.6283 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-17 15:01:00 |
人工找貨 | PTVA120251EA價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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PTVA120251EA規(guī)格書詳情
PTVA120251EA屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTVA120251EA晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
PTVA120251EAV2XWSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
500MHz ~ 1.4GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 輸出:
30W
- 封裝/外殼:
H-36265-2
- 供應(yīng)商器件封裝:
H-36265-2
- 描述:
IC AMP RF LDMOS
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
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原裝 |
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Infineon Technologies |
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H362652 |
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