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G4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.70V,@Vge=15V,Ic=12A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

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G4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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G4BC30W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4BC30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

Features ?Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s

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IRG4BC30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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IRG4BC30

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Generation4IGBTsoff

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IRG4BC30F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.59V,@Vge=15V,Ic=17A)

Features ?Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Generation4IGBTsoff

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IRG4BC30F

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4BC30F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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FitRate/EquivalentDeviceHours

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30WSTRR

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，12A

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT D2PAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon Technologies
21+
D2PAK
800
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!
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TO-263
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D2PAK
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Infineon Technologies
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D2PAK
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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Infineon Technologies
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D2PAK
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
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只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
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D2PAK
7000
詢價(jià)
Infineon Technologies
25+
TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
更多IRG4BC30WSTRR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:37:00

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