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IRG4BC30K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC30K
廠商型號(hào)

IRG4BC30K
參數(shù)屬性

IRG4BC30K 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 28A 100W TO220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

137.95 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商

IRF
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 14:11:00
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IRG4BC30K規(guī)格書詳情

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,

VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high

switching speed

? Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

Benefits

? As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power

density motor controls possible

? This part replaces the IRGBC30K and IRGBC30M

devices

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30K

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，16A

  • 開關(guān)能量：

    360μJ（開），510μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    26ns/130ns

  • 測試條件：

    480V，16A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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