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IRG4BC30FD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC30FD |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC30FD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
412.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-11 17:34:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC30FD價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4BC30FD規(guī)格書詳情
特性 Features
? Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
? Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies
available
? IGBTs optimized for specific application conditions
? HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
? Designed to be a drop-in replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC30FD1PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 開關(guān)能量：
370μJ（開），1.42mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/250ns
- 測試條件：
480V，17A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
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D2PAK |
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