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IRG4BC30K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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International Rectifier

IRG4BC30K

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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International Rectifier

IRG4BC30K

600V 超快 8-25 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封裝;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30K

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 28A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

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International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packag

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

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International Rectifier

IRG4BC30KD-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

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IRG4BC30KD-S

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package; ? 對電機(jī)控制的高短路額定值進(jìn)行了優(yōu)化，tsc =10μs, @360V VCE（啟動），TJ=125°C, VGE=15V\n? 低通態(tài)損耗與高開關(guān)速度相結(jié)合\n? 相較于前代，參數(shù)分布更緊湊，效率更高\(yùn)n? 與 HEXFREDTM 超快、超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝的 IGBT\n? 無鉛\n\n優(yōu)勢:\n? IGBT 提供可行的高功率密度電機(jī)控制\n? HEXFREDTM 二極管經(jīng)過與 IGBT 并用優(yōu)化，將噪聲、EMI 和開關(guān)損耗降至最低\n;

600V IGBT 與 8-25 kHz 超快、超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管聯(lián)合封裝到 D2-Pak 封裝中\(zhòng)n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30KD-SPBF

INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

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International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC30K

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，16A

  • 開關(guān)能量：

    360μJ（開），510μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    26ns/130ns

  • 測試條件：

    480V，16A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IRG4BC30K供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:33:00

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