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HGTP3N60A4數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

HGTP3N60A4

參數(shù)屬性

HGTP3N60A4 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 17A 70W TO220AB

功能描述

IGBT,600 V,SMPS
IGBT 600V 17A 70W TO220AB

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 17:52:00

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HGTP3N60A4規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

HGTP3N60A4 結(jié)合最佳的 MOSFET 高輸入阻抗特性和雙極型晶體管的低通態(tài)導(dǎo)通損耗特性。 該 IGBT 非常適合許多工作頻率很高,而低導(dǎo)通損耗又至關(guān)重要的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 該設(shè)備已被優(yōu)化來(lái)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,比如 UPS 和焊機(jī)。

特性 Features

?8A, 600V @ TC = 110°C
?低飽和電壓: V CE(sat) = 2.0 V @ I C = 3A
?典型下降時(shí)間。 . . . . . . . . . TJ=125°C 時(shí),為 70 ns
?低導(dǎo)通損耗

應(yīng)用 Application

? 其他工業(yè)
? 不間斷電源

簡(jiǎn)介

HGTP3N60A4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTP3N60A4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :HGTP3N60A4

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :8

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.025

  • Eon Typ (mJ)

    :0.037

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :21

  • Short Circuit Withstand (μs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :12

  • PD Max (W)

    :70

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :TO-220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
18+
TO220
1500
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
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TO-220
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ON/安森美
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TO-220
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