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HGT1S7N60C3D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

HGT1S7N60C3D

參數(shù)屬性

HGT1S7N60C3D 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB

功能描述

14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
IGBT 600V 14A 60W TO263AB

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00

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HGT1S7N60C3D規(guī)格書詳情

簡介

HGT1S7N60C3D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGT1S7N60C3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGT1S7N60C3DS9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,7A

  • 開關(guān)能量:

    165μJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件:

    480V,7A,50歐姆,15V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 60W TO263AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3267
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
950
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) 特價(jià),原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫存
詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
FSC
25+
TO263
4500
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
TO-262(I2PAK)
8866
詢價(jià)
FAIRCHIL
2025+
TO-263-2
5425
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
HARRIS
05+
原廠原裝
4340
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
SOT-4239&NBS
3200
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
詢價(jià)
仙童
TO-263
68500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-263AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)