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HGT1S7N60A4DS數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

HGT1S7N60A4DS

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 11:20:00

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技術參數(shù)

  • 型號:

    HGT1S7N60A4DS

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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