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H4L022120m3s	文件：339.96 Kbytes Page：10 Pages	型號：NVH4L022N120M3S；Package：TO247-4L；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 22 m, 68 A Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoardC	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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H4L022120m3s

文件：339.96 Kbytes

Page：10 Pages

型號：NVH4L022N120M3S；Package：TO247-4L；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 22 m, 68 A

Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoardC

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