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NVH4L022N120M3S中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVH4L022N120M3S
廠商型號

NVH4L022N120M3S

功能描述

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 22 m, 68 A

絲印標識

H4L022120m3s

封裝外殼

TO247-4L

文件大小

339.96 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-9 8:02:00

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NVH4L022N120M3S規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 151 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 244 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are RoHS Compliant

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC/DC Converter for EV/HEV

? Automotive Traction Inverter

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONSEMI
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