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Marking：H4L028N170M1；Package：TO247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm Features ?Typ.RDS(on)=28m@VGS=20V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=200nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=200pF) ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?UPS ?DC/DCConverter ?BoostConverter | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
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