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TP65H300G4LSG數(shù)據(jù)手冊(cè)JPX中文資料規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
TP65H300G4LSG |
功能描述 | 分離式大功率氮化鎵功率元件 |
制造商 | JPX Joint Power eXponent |
中文名稱 | 強(qiáng)弦 強(qiáng)弦科技股份有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-15 16:10:00 |
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描述 Description
The TP65H300G4LSG 650V 240mΩ GaN FET is a normally-off device. Transphorm GaN FETs offer better efficiency through lower gate charge, faster switching speeds, and smaller reverse recovery charge, delivering significant advantages over traditional silicon devices.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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