描述 Description

TP65H050G4YS 650V 50mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。 它結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù)，提供卓越的可靠性和性能。

瑞薩電子 GaN 通過更低的柵極電荷、更低的交越損耗和更小的反向恢復(fù)電荷，提供比硅更高的效率。

TP65H050G4YS采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247-4 封裝，具有 Kelvin 源極和通用源極封裝配置。

特性 Features

? 第四代技術(shù)
? 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN 技術(shù)
? 動態(tài) RDS（on）eff 生產(chǎn)測試
? 堅固的設(shè)計，定義
? 寬柵極安全裕度
? 瞬態(tài)過壓能力

? 非常低的 QRR
? 減少分頻損耗
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素包裝
? 在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中實現(xiàn)更高的效率
? 提高功率密度
? 減小系統(tǒng)尺寸和重量
? 總體降低系統(tǒng)成本

? 使用常用的柵極驅(qū)動器輕松驅(qū)動
? 用于提高性能的 Kelvin 源
? 采用 Si 和 SiC TO-247-4 的引腳對引腳插入式封裝（注意：公端是源極與漏極）

應(yīng)用 Application

? 數(shù)據(jù)通信
? 博大實業(yè)
? 光伏逆變器
? 伺服電機