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TP65H050WSQA數(shù)據(jù)手冊Transphorm中文資料規(guī)格書
| 廠商型號 |
TP65H050WSQA |
| 功能描述 | 采用 TO-247 封裝的 650V 50mΩ 氮化鎵 AEC-Q101 Qualified GaN FET |
| 制造商 | Transphorm Transphorm |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-15 16:26:00 |
| 人工找貨 | TP65H050WSQA價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
TP65H050WSQA規(guī)格書詳情
描述 Description
TP65H050WSQA 650V 50mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 屬于常閉型器件。Transphorm?氮化鎵GaN FET通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。TP65H035WSQA 經(jīng)由共源極封裝配置封裝在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 引線 TO-247 內(nèi)發(fā)售。
特性 Features
? 易于驅(qū)動 – 與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器兼容
? 低傳導(dǎo)、低開關(guān)損耗
? 低 Qrr (125nC) – 無需任何續(xù)流二極管
? GSD 引腳布局可提升高速設(shè)計
? 通過 AEC-Q101 認(rèn)證的 氮化鎵GaN技術(shù)
? 符合限制有害物質(zhì)指令 (RoHS) 規(guī)范要求且不含鹵素
? 實(shí)現(xiàn)更高效的拓?fù)?– 易于實(shí)施無橋圖騰柱設(shè)計
? 快速切換，提高效率
? 提高功率密度
? 系統(tǒng)尺寸減小、重量減輕
? BOM 成本更低
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：TP65H050WSQA
- 生產(chǎn)廠家
：Transphorm
- Rds(on)eff (mΩ) typ
：50
- Rds(on)eff (mΩ) max
：60
- Id (25°C) (A) max
：36
- Package
：TO-247
- Package Variation
：Source
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
QFP |
2789 |
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