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TP65H050G4WS數(shù)據(jù)手冊Renesas中文資料規(guī)格書
TP65H050G4WS規(guī)格書詳情
描述 Description
TP65H050G4WS 650V 50mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用我們的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。 它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合，以提供卓越的可靠性和性能。
瑞薩電子的 GaN 功率產(chǎn)品通過更低的柵極電荷、更低的交越損耗和更小的反向恢復(fù)電荷，提供比硅更高的效率。
TP65H050G4WS 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 引腳 TO-247 封裝，具有通用源極封裝配置。
特性 Features
? 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN 技術(shù)
? Dynamic RDS（on）eff 經(jīng)過生產(chǎn)測試
? 堅固的設(shè)計，定義
? 固有壽命測試
? 寬柵極安全裕度
? 瞬態(tài)過壓能力
? 增強的浪涌電流能力
? 非常低的 QRR
? 減少分頻損耗
? 支持 AC-DC 無橋圖騰柱 PFC 設(shè)計
? 提高功率密度
? 減小系統(tǒng)尺寸和重量
? 總體降低系統(tǒng)成本
? 在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中實現(xiàn)更高的效率
? 使用常用柵極驅(qū)動器易于驅(qū)動
? GSD 引腳布局改善了高速設(shè)計
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素包裝
應(yīng)用 Application
? 數(shù)據(jù)通信
? 博大實業(yè)
? 光伏逆變器
? 伺服電機
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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