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TP65H050G4BS數(shù)據(jù)手冊(cè)Renesas中文資料規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
TP65H050G4BS |
| 功能描述 | 采用 TO-263 封裝的 650V 50mΩ SuperGaN FET （D2-PAK） |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-15 20:00:00 |
| 人工找貨 | TP65H050G4BS價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
TP65H050G4BS規(guī)格書詳情
描述 Description
TP65H050G4BS 650V 50mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用我們的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。 它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合，以提供卓越的可靠性和性能。
瑞薩電子的 GaN 功率產(chǎn)品通過更低的柵極電荷、更低的交越損耗和更小的反向恢復(fù)電荷，提供比硅更高的效率。
TP65H050G4BS 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 SMD TO-263 封裝，具有通用的源封裝配置。
特性 Features
? 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN 技術(shù)
? Dynamic RDS（on）eff 經(jīng)過生產(chǎn)測(cè)試
? 堅(jiān)固的設(shè)計(jì)，定義
? 固有壽命測(cè)試
? 寬柵極安全裕度
? 瞬態(tài)過壓能力
? 增強(qiáng)的浪涌電流能力
? 非常低的 QRR
? 減少分頻損耗
? 支持 AC-DC 無橋圖騰柱 PFC 設(shè)計(jì)
? 提高功率密度
? 減小系統(tǒng)尺寸和重量
? 總體降低系統(tǒng)成本
? 在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中實(shí)現(xiàn)更高的效率
? 使用常用柵極驅(qū)動(dòng)器易于驅(qū)動(dòng)
? GSD 引腳布局改善了高速設(shè)計(jì)
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素包裝
應(yīng)用 Application
? 數(shù)據(jù)通信
? 博大實(shí)業(yè)
? 光伏逆變器
? 伺服電機(jī)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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