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TP65H300G4LSG數(shù)據(jù)手冊(cè)Transphorm中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

TP65H300G4LSG

功能描述

650V 150mΩ GaN FET in?PQFN88

制造商

Transphorm Transphorm

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-15 20:00:00

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TP65H300G4LSG規(guī)格書詳情

描述 Description

The?TP65H300G4LSG?650V 240mΩ gallium nitride (GaN) FET is a normally-off device. Transphorm GaN FETs offer better efficiency through lower gate charge, faster switching speeds, and smaller reverse recovery charge, delivering significant advantages over traditional silicon (Si) devices. The TP65H300G4LSG is offered in an industry-standard 8×8 PQFN with a common source package configuration.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :TP65H300G4LSG

  • 生產(chǎn)廠家

    :Transphorm

  • Rds(on)eff (mΩ) typ

    :240

  • Rds(on)eff (mΩ) max

    :312

  • Id (25°C) (A) max

    :6.5

  • Package

    :PQFN88

  • Package Variation

    :Source

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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