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TP65H070LDG數(shù)據(jù)手冊(cè)Transphorm中文資料規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
TP65H070LDG |
| 功能描述 | 采用 PQFN88 封裝的 650V 72mΩ 氮化鎵GaN FET |
| 制造商 | Transphorm Transphorm |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-15 20:00:00 |
| 人工找貨 | TP65H070LDG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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描述 Description
TP65H070LDG?650V 72mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 屬于常閉型器件。Transphorm氮化鎵GaN FET 通過(guò)更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢(shì)。TP65H070LDG 經(jīng)由共源極封裝配置封裝在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 引線 PQFN88 內(nèi)發(fā)售。
特性 Features
? 易于驅(qū)動(dòng) – 與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器兼容
? 低傳導(dǎo)、低開(kāi)關(guān)損耗
? 低 Qrr (90nC) – 無(wú)需任何續(xù)流二極管
? GSD 引腳布局可提升高速設(shè)計(jì)
? 通過(guò) JEDEC 認(rèn)證的 氮化鎵GaN技術(shù)
? 符合限制有害物質(zhì)指令 (RoHS) 規(guī)范要求且不含鹵素
? 實(shí)現(xiàn)更高效的拓?fù)?– 易于實(shí)施無(wú)橋圖騰柱設(shè)計(jì)
? 快速切換，提高效率
? 提高功率密度
? 系統(tǒng)尺寸減小、重量減輕
? BOM 成本更低
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：TP65H070LDG
- 生產(chǎn)廠家
：Transphorm
- Rds(on)eff (mΩ) typ
：72
- Rds(on)eff (mΩ) max
：85
- Id (25°C) (A) max
：25
- Package
：PQFN88
- Package Variation
：Drain
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TRANSPHORM |
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