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STH13N120K5-2AG數(shù)據(jù)手冊(cè)ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

STH13N120K5-2AG

功能描述

汽車級(jí)N溝道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,H2PAK-2封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 20:11:00

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STH13N120K5-2AG規(guī)格書詳情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

? AEC-Q101 qualified
? Industry’s lowest RDS(on) x area
? Industry’s best FoM (figure of merit)
? Ultra-low gate charge
? 100% avalanche tested
? Zener-protected

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :STH13N120K5-2AG

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-2

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.69

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :250

  • Qg_typ(nC)

    :44.2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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