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STGP30H60DF數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGP30H60DF

參數屬性

STGP30H60DF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 60A 260W TO220

功能描述

600 V、30 A高速溝槽柵場截止IGBT
IGBT 600V 60A 260W TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數據手冊

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更新時間

2025-9-8 10:45:00

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STGP30H60DF規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

特性 Features

? High speed switching
? Tight parameters distribution
? Safe paralleling
? Low thermal resistance
? Short circuit rated
? Ultrafast soft recovery antiparallel diode

簡介

STGP30H60DF屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的STGP30H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數

更多
  • 制造商編號

    :STGP30H60DF

  • 生產廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :150

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • VCE(sat)_typ(V)

    :2

  • VF_typ(V)

    :2

  • Qg_typ(nC)

    :105

  • Eon_typ(mJ)

    :0.35

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
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