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STGP19NC60HD數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

STGP19NC60HD

參數(shù)屬性

STGP19NC60HD 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A 130W TO220

功能描述

19 A、600 V超快IGBT,帶超高速二極管
IGBT 600V 40A 130W TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 20:00:00

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STGP19NC60HD規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

? Low on-voltage drop (VCE(sat))
? Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode

簡(jiǎn)介

STGP19NC60HD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGP19NC60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :STGP19NC60HD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :130

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :19

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :40

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :20

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.8

  • VF_typ(V)

    :2.6

  • Qg_typ(nC)

    :53

  • Eon_typ(mJ)

    :0.09

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.19

  • Qrr_typ(nC)

    :30

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
24+
NA/
3415
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO220
880000
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詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
8080
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ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-220-3
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買(mǎi)原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美
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ST
25+
TO220
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法
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TO220
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STM
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TO-220-3
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絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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