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STGP19NC60KD數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGP19NC60KD

參數(shù)屬性

STGP19NC60KD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 35A 125W TO220

功能描述

20 A、600 V短路保護(hù)IGBT
IGBT 600V 35A 125W TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 15:24:00

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STGP19NC60KD規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH? technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

? Low on voltage drop (VCE(sat))
? Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
? Short-circuit withstand time 10 μs
? IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode

簡介

STGP19NC60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGP19NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGP19NC60KD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :125

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :20

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :35

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :20

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.9

  • VF_typ(V)

    :1.9

  • Qg_typ(nC)

    :55

  • Eon_typ(mJ)

    :0.17

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.26

  • Qrr_typ(nC)

    :30

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
19+
TO-220
1267
只做原裝正品
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-220-3
30000
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談
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ST/意法
22+
TO-220
14100
原裝正品
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-220
159
只做原裝,歡迎詢價(jià),量大價(jià)優(yōu)
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ST/意法半導(dǎo)體
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