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STGP20NC60V中文資料30 A、600 V超快IGBT數(shù)據(jù)手冊ST規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

STGP20NC60V

參數(shù)屬性

STGP20NC60V 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A 200W TO220

功能描述

30 A、600 V超快IGBT
IGBT 600V 60A 200W TO220

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-9 20:00:00

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STGP20NC60V規(guī)格書詳情

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

? High frequency operation up to 50 kHz
? Lower CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
? High current capability

簡介

STGP20NC60V屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGP20NC60V晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGP20NC60V

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :200

  • Freewheeling diode

    :false

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :30

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :60

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.65

  • Qg_typ(nC)

    :100

  • Eon_typ(mJ)

    :0.22

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.33

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
24+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
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STM
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TO-220
180
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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STM
24+
TO220
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原裝正品 假一罰十 可拆樣
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2024+
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24+
TO220
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只做原裝 直接聯(lián)系
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TO-220
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ST
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TO-220
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只做原裝,質(zhì)量保證
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