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STGP19NC60KD 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
STGP19NC60KD
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ST
庫存數(shù)量：
30000
產(chǎn)品封裝：
生產(chǎn)批號：
22+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-7-28 14:06:00

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原廠料號：STGP19NC60KD品牌：ST

原裝現(xiàn)貨,可追溯原廠渠道

STGP19NC60KD是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-220-3的STGP19NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGP19NC60KD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內(nèi)容頁數(shù)：
17 頁
文件大?。?/span>
586.14 kb
資料說明：
20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
STGP19NC60KD
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
PowerMESH?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.75V @ 15V，12A
開關能量：
165μJ（開），255μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
30ns/105ns
測試條件：
480V，12A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220
描述：
IGBT 600V 35A 125W TO220

供應商

企業(yè)：
深圳市納睿斯電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪留言
聯(lián)系人：
寧先生
手機：
18681435519
詢價：
電話：
0755-23900189
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振興路154號上步工業(yè)區(qū)19棟上步工業(yè)區(qū)305棟4層4C09

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STGP19NC60KD 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGP19NC60KD

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