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STGP19NC60KD

20 A、600 V短路保護(hù)IGBT; ? Low on voltage drop (VCE(sat)) \n? Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) \n? Short-circuit withstand time 10 μs \n? IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode;

These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH? technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.\n\n

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60KD

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60KD

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 35A 125W TO220

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60S

N-channel600V-20A-TO-220MediumfrequencyPowerMESHIGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60S

20A,600VfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Verylowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Minimumpowerlossesat5kHzinhard switching ■Optimizedperformanceformedium

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60SD

20A,600VfastIGBTwithUltrafastdiode

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60W

N-channel600V-19A-TO-220UltrafastPowerMESHIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP19NC60WD

N-channel600V-19A-TO-220-TO-247UltrafastPowerMESH??IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW19NC60H

19A-600V-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■Highfrequencyoperation Applications ■Highfrequencymotordrives ■SMPSandPFCi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW19NC60H

19A-600V-veryfastIGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP19NC60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.75V @ 15V，12A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    165μJ（開(kāi)），255μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    30ns/105ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 35A 125W TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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更多STGP19NC60KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 8:12:00

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