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STGP19NC60KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGP19NC60KD
廠商型號(hào)

STGP19NC60KD

參數(shù)屬性

STGP19NC60KD 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 35A 125W TO220

功能描述

20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
IGBT 600V 35A 125W TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

586.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 15:28:00

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STGP19NC60KD規(guī)格書(shū)詳情

STGP19NC60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP19NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGP19NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    165μJ(開(kāi)),255μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    30ns/105ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 600V 35A 125W TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-220-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST(意法)
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TO-220(TO-220-3)
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詢(xún)價(jià)