首頁>STGB8NC60KDT4>規(guī)格書詳情
STGB8NC60KDT4數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書
STGB8NC60KDT4規(guī)格書詳情
描述 Description
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications.
特性 Features
? Lower on voltage drop (VCE(sat))
? Lower Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility)
? Very soft ultra-fast recovery antiparallel diode
? Short-circuit withstand time 10 μs
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
STGB8NC60KDT4
- 功能描述：
IGBT 晶體管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
ST |
25+23+ |
TO263 |
13596 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
原廠授權(quán)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價 |
