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PXAE263708NB-V1-R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PXAE263708NB-V1-R2 |
| 參數(shù)屬性 | PXAE263708NB-V1-R2 封裝/外殼為PG-HB2SOF-8-1；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 – 2690 MHz |
| 封裝外殼 | PG-HB2SOF-8-1 |
| 文件大小 |
612.61 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED, INC. |
| 企業(yè)簡稱 |
WOLFSPEED |
| 中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) | WOLFSPEED |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 12:29:00 |
| 人工找貨 | PXAE263708NB-V1-R2價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PXAE263708NB-V1-R2規(guī)格書詳情
PXAE263708NB-V1-R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PXAE263708NB-V1-R2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PXAE263708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS FET intended for use
in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2620 to
2690 MHz frequency band. Features include input and output matching,
high gain and a thermally-enhanced package with earless flange.
Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device
provides excellent thermal performance and superior reliability.
特性 Features
? Broadband internal input and output matching
? Asymmetric Doherty design
- Main: P1dB = 140 W Typ
- Peak: P1dB = 260 W Typ
? Typical pulsed CW performance, 2655 MHz, 28 V,
Doherty configuration, 10 μs, 10 duty cycle, class AB
- Output power at P1dB = 200 W
- Output power at P3dB = 400 W
- Efficiency = 49 (POUT = 57 W avg)
- Gain = 15 dB (POUT = 57 W avg)
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 32 V, 100 W (CW)
output power
? Integrated ESD protection
? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PXAE263708NB-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
57W
- 封裝/外殼：
PG-HB2SOF-8-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-HB2SOF-8-1
- 描述：
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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