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PXAE213708NB-V1-R2分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PXAE213708NB-V1-R2
廠商型號

PXAE213708NB-V1-R2

參數(shù)屬性

PXAE213708NB-V1-R2 封裝/外殼為PG-HB2SOF-8-1;包裝為帶;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 ??2180 MHz

封裝外殼

PG-HB2SOF-8-1

文件大小

529.64 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 Cree, Inc
企業(yè)簡稱

CREE科銳

中文名稱

科銳官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-6 14:46:00

人工找貨

PXAE213708NB-V1-R2價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

產品屬性

  • 產品編號:

    PXAE213708NB-V1-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.18GHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    54W

  • 封裝/外殼:

    PG-HB2SOF-8-1

  • 供應商器件封裝:

    PG-HB2SOF-8-1

  • 描述:

    SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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