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PXAE213708NB-V1-R2分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
PXAE213708NB-V1-R2 |
參數(shù)屬性 | PXAE213708NB-V1-R2 封裝/外殼為PG-HB2SOF-8-1;包裝為帶;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 ??2180 MHz |
封裝外殼 | PG-HB2SOF-8-1 |
文件大小 |
529.64 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產廠商 | Cree, Inc |
企業(yè)簡稱 |
CREE【科銳】 |
中文名稱 | 科銳官網 |
原廠標識 | CREE |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-6 14:46:00 |
人工找貨 | PXAE213708NB-V1-R2價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
產品屬性
- 產品編號:
PXAE213708NB-V1-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.11GHz ~ 2.18GHz
- 增益:
16dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
54W
- 封裝/外殼:
PG-HB2SOF-8-1
- 供應商器件封裝:
PG-HB2SOF-8-1
- 描述:
SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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