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PXAE263708NB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
PXAE263708NB |
參數(shù)屬性 | PXAE263708NB 封裝/外殼為PG-HB2SOF-8-1;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W (P3dB), 28 V, 2620 ??2690 MHz |
封裝外殼 | PG-HB2SOF-8-1 |
文件大小 |
289.18 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Cree, Inc |
企業(yè)簡稱 |
CREE【科銳】 |
中文名稱 | 科銳官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | CREE |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 13:01:00 |
人工找貨 | PXAE263708NB價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
PXAE263708NB-V1-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
14dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
57W
- 封裝/外殼:
PG-HB2SOF-8-1
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-HB2SOF-8-1
- 描述:
SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
PLCC44 |
50000 |
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