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PXAD184218FV-V1-R2分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PXAD184218FV-V1-R2 |
| 參數(shù)屬性 | PXAD184218FV-V1-R2 封裝/外殼為H-37275G-6/2；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 420 W, 28 V, 1805 – 1880 MHz |
| 封裝外殼 | H-37275G-6/2 |
| 文件大小 |
1.10918 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產廠商 | WOLFSPEED |
| 網址 | |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 17:51:00 |
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PXAD184218FV-V1-R2規(guī)格書詳情
PXAD184218FV-V1-R2屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產的PXAD184218FV-V1-R2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PXAD184218FV is a 420-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical
design intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 1805 to 1880 MHz frequency band. Features include dual-path
design, input and output matching, high gain and thermally-enhanced
package with earless flanges. Manufactured with Wolfspeed's advanded
LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and
superior reliability.
特性 Features
? Broadband internal input and output matching
? Asymmetrical Doherty design
- Main : P1dB = 130 W Typ
- Peak : P1dB = 290 W Typ
? Typical Pulsed CW performance, 1842.5 MHz, 28 V,
Doherty configuration
- Output power at P3dB = 420 W
- Efficiency = 62
- Gain = 14 dB
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 110 W (WCDMA)
output power
? Integrated ESD protection
? Human Body Model class 2 (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
產品屬性
更多- 產品編號：
PXAD184218FV-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
130W
- 封裝/外殼：
H-37275G-6/2
- 供應商器件封裝：
H-37275G-6/2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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