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PXAE213708NB-V1-R2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PXAE213708NB-V1-R2 |
| 參數(shù)屬性 | PXAE213708NB-V1-R2 封裝/外殼為PG-HB2SOF-8-1；包裝為帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz |
| 封裝外殼 | PG-HB2SOF-8-1 |
| 文件大小 |
707.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED, INC. |
| 企業(yè)簡稱 |
WOLFSPEED |
| 中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網(wǎng) |
| 原廠標識 | WOLFSPEED |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 14:39:00 |
| 人工找貨 | PXAE213708NB-V1-R2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PXAE213708NB-V1-R2規(guī)格書詳情
PXAE213708NB-V1-R2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PXAE213708NB-V1-R2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PXAE213708NB is a 400-watt (P3dB) LDMOS Doherty transistor
intended for use in multi-standard cellular power amplifier
applications in the 2110 to 2200 MHz frequency band. Features
include input and output matching, high gain and thermallyenhanced package with earless flange. Manufactured with
Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this device provides
excellent thermal performance and superior reliability
特性 Features
? Broadband internal input and output matching
? Asymmetrical Doherty design
- Main: P3dB = 160 W Typ
- Peak: P3dB = 290 W Typ
? Typical Pulsed CW performance, 2200 MHz, 28 V,
doherty configuration, 10 μs, 10 duty cycle, class
AB
- Output power at P3dB = 400 W
- Efficiency = 60
- Gain = 13.3 dB
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 54 W (1C
WCDMA) output power
? Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
? Integrated ESD protection
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PXAE213708NB-V1-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.11GHz ~ 2.18GHz
- 增益：
16dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
54W
- 封裝/外殼：
PG-HB2SOF-8-1
- 供應商器件封裝：
PG-HB2SOF-8-1
- 描述：
SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
PLCC44 |
4500 |
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2022 |
PLCC |
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