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PTVA120501EA-V1-R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTVA120501EA-V1-R2
廠商型號(hào)

PTVA120501EA-V1-R2

參數(shù)屬性

PTVA120501EA-V1-R2 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz
IC AMP RF LDMOS

文件大小

695.33 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

WOLFSPEED

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 17:09:00

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PTVA120501EA-V1-R2規(guī)格書詳情

PTVA120501EA-V1-R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA120501EA-V1-R2晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

描述 Description

The PTVA120501EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier

applications in the 1200 to 1400 MHz frequency band. Features include

high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides

excellent thermal performance and superior reliability.

特性 Features

? Broadband input matching

? High gain and efficiency

? Typical Pulsed CW performance, 1200 – 1400MHz, 50 V,

300 μs pulse width, 10 duty cycle, class AB

- Output power at P1dB = 54 W

- Efficiency = 55

- Gain = 16 dB

? Integrated ESD protection

? Low thermal resistance

? Pb-free and RoHS compliant

? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch

(all phase angles) at 50 W peak under RF pulse,

300 μS, 10 duty cycle.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTVA120501EA-V1-R250

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
H-36248-2
22+
56000
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INFINEON/英飛凌
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22+
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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Cree/Wolfspeed
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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