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PTVA120501EA-V1-R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTVA120501EA-V1-R0 |
| 參數(shù)屬性 | PTVA120501EA-V1-R0 封裝/外殼為H-36265-2；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS H-36265-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz |
| 封裝外殼 | H-36265-2 |
| 文件大小 |
695.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-9 17:30:00 |
| 人工找貨 | PTVA120501EA-V1-R0價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多PTVA120501EA-V1-R0規(guī)格書詳情
PTVA120501EA-V1-R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA120501EA-V1-R0晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PTVA120501EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier
applications in the 1200 to 1400 MHz frequency band. Features include
high gain and thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides
excellent thermal performance and superior reliability.
特性 Features
? Broadband input matching
? High gain and efficiency
? Typical Pulsed CW performance, 1200 – 1400MHz, 50 V,
300 μs pulse width, 10 duty cycle, class AB
- Output power at P1dB = 54 W
- Efficiency = 55
- Gain = 16 dB
? Integrated ESD protection
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
? Capable of withstanding a 10:1 load mismatch
(all phase angles) at 50 W peak under RF pulse,
300 μS, 10 duty cycle.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTVA120501EA-V1-R0
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.2GHz ~ 1.4GHz
- 增益：
17dB
- 功率 - 輸出：
50W
- 封裝/外殼：
H-36265-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36265-2
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-36265-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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