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PTVA120252MT-V1-R1K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PTVA120252MT-V1-R1K |
| 參數(shù)屬性 | PTVA120252MT-V1-R1K 封裝/外殼為16-TDFN 裸露焊盤；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 48 V, 500 – 1400 MHz |
| 封裝外殼 | 16-TDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
553.78 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-10 8:24:00 |
| 人工找貨 | PTVA120252MT-V1-R1K價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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PTVA120252MT-V1-R1K屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的PTVA120252MT-V1-R1K晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
描述 Description
The PTVA120252MT LDMOS FET is a 25-watt LDMOS FET designed for use
in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency
band. Features include high gain and a thermally-enhanced, surface-mount
package. Manufactured with Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this
device provides excellent thermal performance and superior reliability.
特性 Features
? Unmatched
? Target CW performance 960 MHz, 48 V,
combined outputs
- Output power at P1dB = 25 W
- Gain = 19.8 dB
- Efficiency = 64
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 20 W CW
output power
? Integrated ESD protection
? Human Body Model class 1C (per ANSI/ESDA/
JEDEC JS-001)
? Low thermal resistance
? Pb-free and RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
PTVA120252MT-V1-R1K
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
500MHz ~ 1.4GHz
- 增益：
20.2dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
30.2W
- 封裝/外殼：
16-TDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-SON-16
- 描述：
RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
PG-SON-16 |
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