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PTFA091201HL V1 R250數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

PTFA091201HL V1 R250

參數(shù)屬性

PTFA091201HL V1 R250 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

功能描述

IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名稱

英飛凌 英飛凌科技股份公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-9 23:01:00

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PTFA091201HL V1 R250規(guī)格書詳情

簡介

PTFA091201HL V1 R250屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的PTFA091201HL V1 R250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :PTFA091201HL V1 R250

  • 生產(chǎn)廠家

    :Infineon

  • 頻率

    :960MHz

  • 增益

    :18.5dB

  • 電壓 - 測試

    :28V

  • 額定電流

    :10μA

  • 噪聲系數(shù)

    :-

  • 電流 - 測試

    :750mA

  • 功率 - 輸出

    :110W

  • 電壓 - 額定

    :65V

  • 封裝/外殼

    :2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應商器件封裝

    :PG-64248-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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